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ON Semiconductor FDFMJ2P023Z

Name: FDFMJ2P023Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMJ2P023Z
Availability: InStock
Rating: 4.7 (469 reviews)

Número de pieza de MFG: FDFMJ2P023Z

Cantidad disponible: 68890 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDFMJ2P023Z.pdf

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FDFMJ2P023Z Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDFMJ2P023Z
Número de parte futuro	FT-FDFMJ2P023Z
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDFMJ2P023Z Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	400pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-75, MicroFET
Paquete / Caja	6-WFDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMJ2P023Z Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDFMJ2P023Z-FT

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