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ON Semiconductor FDFMA3N109
- Número de pieza de MFG
- FDFMA3N109
- Cantidad disponible
- 50750 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.252392
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- Fecha de envío
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- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- FDFMA3N109.pdf
FDFMA3N109 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | FDFMA3N109 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FDFMA3N109 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | PowerTrench® |
| FDFMA3N109 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (2x2) |
| Paquete / Caja | 6-VDFN Exposed Pad |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDFMA3N109 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FDFMA3N109-FT |
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