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ON Semiconductor FDFME3N311ZT

Número de pieza de MFG
FDFME3N311ZT
Cantidad disponible
11530 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDFME3N311ZT Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 75pF @ 15V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / Caja 6-UFDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFME3N311ZT Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDFME3N311ZT-FT

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