casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDB035AN06A0-F085
Número de pieza del fabricante | FDB035AN06A0-F085 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDB035AN06A0-F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDB035AN06A0-F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 310W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB035AN06A0-F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDB035AN06A0-F085-FT |
FQB34P10TM
ON Semiconductor
FQB34P10TM-F085
ON Semiconductor
NDB5060L
ON Semiconductor
FDB12N50FTM-WS
ON Semiconductor
FDB15N50
ON Semiconductor
FDB52N20TM
ON Semiconductor
FDB8442-F085
ON Semiconductor
FQB11P06TM
ON Semiconductor
FQB19N20LTM
ON Semiconductor
FQB6N40CTM
ON Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel