casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDB24AN06LA0
Número de pieza del fabricante | FDB24AN06LA0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDB24AN06LA0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB24AN06LA0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.8A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1850pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB24AN06LA0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDB24AN06LA0-FT |
FQB19N20LTM
ON Semiconductor
FQB6N40CTM
ON Semiconductor
FDB035AN06A0
ON Semiconductor
FDB045AN08A0
ON Semiconductor
FDB050AN06A0
ON Semiconductor
FDB2532-F085
ON Semiconductor
FDB8030L
ON Semiconductor
FDB86569-F085
ON Semiconductor
FQB10N50CFTM-WS
ON Semiconductor
FQB27P06TM
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation