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EPC EPC2105ENG

Name: EPC2105ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2105ENG
Availability: InStock
Rating: 4.7 (134 reviews)

Número de pieza de MFG: EPC2105ENG

Cantidad disponible: 42990 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: EPC

Breve descripción: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: EPC2105ENG.pdf

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EPC2105ENG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	EPC2105ENG
Número de parte futuro	FT-EPC2105ENG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2105ENG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	300pF @ 40V
Potencia - max	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	Die
Paquete del dispositivo del proveedor	Die
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2105ENG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	EPC2105ENG-FT

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