casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / EPC2105ENG
Número de pieza del fabricante | EPC2105ENG |
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Número de parte futuro | FT-EPC2105ENG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2105ENG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 40V |
Potencia - max | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2105ENG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EPC2105ENG-FT |
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