casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDMD85100
Número de pieza del fabricante | FDMD85100 |
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Número de parte futuro | FT-FDMD85100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMD85100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2230pF @ 50V |
Potencia - max | 2.2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-Power 5x6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD85100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMD85100-FT |
APTM120TDU57PG
Microsemi Corporation
APTM20TDUM16PG
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APTMC60TL11CT3AG
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APTM100H45SCTG
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A3PE3000-1FGG484I
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M1A3P400-FGG484I
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M1A3P400-2FGG256
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ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
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5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel