casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CSD87335Q3DT
Número de pieza del fabricante | CSD87335Q3DT |
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Número de parte futuro | FT-CSD87335Q3DT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD87335Q3DT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1050pF @ 15V |
Potencia - max | 6W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerLDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-LSON (3.3x3.3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87335Q3DT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD87335Q3DT-FT |
SI7922DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-GE3
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
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EP20K1000CF33C8N
Intel