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Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3

Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZF906DT-T1-GE3
Price: 0.593824 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (385 reviews)

Número de pieza de MFG: SIZF906DT-T1-GE3

Cantidad disponible: 93390 Piezas

Precio de referencia: USD 0.593824

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® Gen IV MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIZF906DT-T1-GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SIZF906DT-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SIZF906DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIZF906DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potencia - max	38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PowerPair® (6x5)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZF906DT-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIZF906DT-T1-GE3-FT

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