casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIZF300DT-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIZF300DT-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIZF300DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIZF300DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
Potencia - max | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PowerPair® (6x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZF300DT-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIZF300DT-T1-GE3-FT |
SI5905BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-GE3
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XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel