casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI7925DN-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI7925DN-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7925DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7925DN-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.3W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7925DN-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7925DN-T1-E3-FT |
SI5515DC-T1-GE3
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SI5902DC-T1-E3
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A1020B-2VQ80C
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XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
10M16DCF256C7G
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5SGXMA7K1F40C2N
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5SGSED6K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22A7N
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LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation