casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI7925DN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7925DN-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7925DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7925DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.3W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7925DN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7925DN-T1-GE3-FT |
SI5902DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5903DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5905DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5915BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
A42MX36-3BGG272
Microsemi Corporation
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
XC4010XL-1PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-2X
Intel