casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CSD86356Q5D
Número de pieza del fabricante | CSD86356Q5D |
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Número de parte futuro | FT-CSD86356Q5D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD86356Q5D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V |
Potencia - max | 12W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD86356Q5D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD86356Q5D-FT |
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