casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI8900EDB-T2-E1
Número de pieza del fabricante | SI8900EDB-T2-E1 |
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Número de parte futuro | FT-SI8900EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8900EDB-T2-E1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 10-UFBGA, CSPBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8900EDB-T2-E1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI8900EDB-T2-E1-FT |
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