casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI3552DV-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI3552DV-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI3552DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3552DV-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.15W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3552DV-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3552DV-T1-E3-FT |
SI7960DP-T1-GE3
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XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel