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Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3
- Número de pieza de MFG
- SIR770DP-T1-GE3
- Cantidad disponible
- 54960 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.44608
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- TrenchFET® MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SIR770DP-T1-GE3.pdf
SIR770DP-T1-GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SIR770DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SIR770DP-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® |
| SIR770DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Potencia - max | 17.8W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIR770DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SIR770DP-T1-GE3-FT |
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