casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ALD1107PBL
Número de pieza del fabricante | ALD1107PBL |
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Número de parte futuro | FT-ALD1107PBL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ALD1107PBL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 4 P-Channel, Matched Pair |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 10.6V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1800 Ohm @ 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3pF @ 5V |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 14-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD1107PBL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ALD1107PBL-FT |
SI4973DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4974DY-T1-E3
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XC2S200-5PQ208C
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XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel