casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIZ910DT-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIZ910DT-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIZ910DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIZ910DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Potencia - max | 48W, 100W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PowerPair® (6x5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ910DT-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIZ910DT-T1-GE3-FT |
SI5920DC-T1-GE3
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Xilinx Inc.
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5SGXEA9N3F45C2N
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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