casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SISF00DN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SISF00DN-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SISF00DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SISF00DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2700pF @ 15V |
Potencia - max | 69.4W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8SCD |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8SCD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISF00DN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SISF00DN-T1-GE3-FT |
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Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
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