casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI8901EDB-T2-E1
Número de pieza del fabricante | SI8901EDB-T2-E1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI8901EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8901EDB-T2-E1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-MICRO FOOT®CSP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8901EDB-T2-E1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI8901EDB-T2-E1-FT |
SI5935CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5935DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3900DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3552DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3590DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3590DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208A
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD3E2H29I3L
Intel
EP2AGX125DF25I5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
EP1S25F1020C6
Intel