casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD18537NQ5AT
Número de pieza del fabricante | CSD18537NQ5AT |
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Número de parte futuro | FT-CSD18537NQ5AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD18537NQ5AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1480pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.2W (Ta), 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSONP (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18537NQ5AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD18537NQ5AT-FT |
DMP1012UCB9-7
Diodes Incorporated
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