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Texas Instruments CSD25211W1015

Número de pieza de MFG
CSD25211W1015
Cantidad disponible
78730 Piezas
Precio de referencia
USD 0.1488
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-CSD25211W1015
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD25211W1015 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 570pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja 6-UFBGA, DSBGA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25211W1015 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD25211W1015-FT

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