casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPH7R006PL,L1Q
Número de pieza del fabricante | TPH7R006PL,L1Q |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TPH7R006PL,L1Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIX-H |
TPH7R006PL,L1Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1875pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 81W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH7R006PL,L1Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPH7R006PL,L1Q-FT |
TK5P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8P60W5,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK290P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK560P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel