casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK5P60W,RVQ
Número de pieza del fabricante | TK5P60W,RVQ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TK5P60W,RVQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK5P60W,RVQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 270µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380pF @ 300V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK5P60W,RVQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK5P60W,RVQ-FT |
2SK2989(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989(TPE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel