casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK8P60W5,RVQ
Número de pieza del fabricante | TK8P60W5,RVQ |
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Número de parte futuro | FT-TK8P60W5,RVQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK8P60W5,RVQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 590pF @ 300V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 80W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK8P60W5,RVQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK8P60W5,RVQ-FT |
2SK2989(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989(TPE6,F,M)
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5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
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LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation