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Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL,LQ

Name: TPH8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R903NL,LQ
Price: 0.2262 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (297 reviews)

Número de pieza de MFG: TPH8R903NL,LQ

Cantidad disponible: 95570 Piezas

Precio de referencia: USD 0.2262

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPH8R903NL,LQ.pdf

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TPH8R903NL,LQ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPH8R903NL,LQ
Número de parte futuro	FT-TPH8R903NL,LQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TPH8R903NL,LQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	820pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.6W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH8R903NL,LQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPH8R903NL,LQ-FT

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