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Texas Instruments CSD13306W

Número de pieza de MFG
CSD13306W
Cantidad disponible
67250 Piezas
Precio de referencia
USD 0.15232
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET N-CH 12V 3.5A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-CSD13306W
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD13306W Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1370pF @ 6V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja 6-UFBGA, DSBGA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD13306W Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD13306W-FT

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