casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD23203WT
Número de pieza del fabricante | CSD23203WT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CSD23203WT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD23203WT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 914pF @ 4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 750mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DSBGA |
Paquete / Caja | 6-UFBGA, DSBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD23203WT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD23203WT-FT |
TPH6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR8504PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K781G,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J771G,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6H19NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage