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Texas Instruments CSD25304W1015

Número de pieza de MFG
CSD25304W1015
Cantidad disponible
16800 Piezas
Precio de referencia
USD 0.15616
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD25304W1015 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 595pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DSBGA
Paquete / Caja 6-UFBGA, DSBGA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25304W1015 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD25304W1015-FT

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