casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD25304W1015
Número de pieza del fabricante | CSD25304W1015 |
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Número de parte futuro | FT-CSD25304W1015 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25304W1015 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 595pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 750mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DSBGA |
Paquete / Caja | 6-UFBGA, DSBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25304W1015 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD25304W1015-FT |
TPH8R008NH,L1Q
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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