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BUK9E3R7-60E,127 Image

NXP USA Inc. BUK9E3R7-60E,127

Número de pieza de MFG
BUK9E3R7-60E,127
Cantidad disponible
39250 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante BUK9E3R7-60E,127
Número de parte futuro FT-BUK9E3R7-60E,127
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
BUK9E3R7-60E,127 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 5V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13490pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 293W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK9E3R7-60E,127 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BUK9E3R7-60E,127-FT

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