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Nexperia USA Inc. PMFPB8040XP,115

Número de pieza de MFG
PMFPB8040XP,115
Cantidad disponible
41950 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
Nexperia USA Inc.
Breve descripción
- MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMFPB8040XP,115 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 550pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-HUSON-EP (2x2)
Paquete / Caja 6-UDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB8040XP,115 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PMFPB8040XP,115-FT

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