casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002BKM,315
Número de pieza del fabricante | 2N7002BKM,315 |
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Número de parte futuro | FT-2N7002BKM,315 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
2N7002BKM,315 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 450mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1006-3 |
Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002BKM,315 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N7002BKM,315-FT |
NVMFS6B05NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT1G
ON Semiconductor
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel