casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002BKM,315
Número de pieza del fabricante | 2N7002BKM,315 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2N7002BKM,315 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
2N7002BKM,315 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 450mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1006-3 |
Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002BKM,315 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N7002BKM,315-FT |
NVMFS6B05NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B05NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT1G
ON Semiconductor
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel