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NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115
- Número de pieza de MFG
- PMFPB6532UP,115
- Cantidad disponible
- 37580 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- NXP USA Inc.
- Breve descripción
- - MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- PMFPB6532UP,115.pdf
PMFPB6532UP,115 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | PMFPB6532UP,115 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-PMFPB6532UP,115 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| PMFPB6532UP,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380pF @ 10V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (max) | 520mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DFN2020-6 |
| Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMFPB6532UP,115 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | PMFPB6532UP,115-FT |
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