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NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115

Name: PMFPB6532UP,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMFPB6532UP,115
Availability: InStock
Rating: 4.5 (100 reviews)

Número de pieza de MFG: PMFPB6532UP,115

Cantidad disponible: 37580 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: - MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PMFPB6532UP,115.pdf

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Número de pieza del fabricante	PMFPB6532UP,115
Número de parte futuro	FT-PMFPB6532UP,115
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMFPB6532UP,115 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	380pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN2020-6
Paquete / Caja	6-UDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB6532UP,115 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PMFPB6532UP,115-FT

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