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Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115

Name: PMFPB8032XP,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMFPB8032XP,115
Price: 0.23616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (566 reviews)

Número de pieza de MFG: PMFPB8032XP,115

Cantidad disponible: 89910 Piezas

Precio de referencia: USD 0.23616

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fabricante: Nexperia USA Inc.

Breve descripción: - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PMFPB8032XP,115.pdf

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PMFPB8032XP,115 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PMFPB8032XP,115
Número de parte futuro	FT-PMFPB8032XP,115
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMFPB8032XP,115 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	550pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-HUSON-EP (2x2)
Paquete / Caja	6-UDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB8032XP,115 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PMFPB8032XP,115-FT

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