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Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005

Name: BSM120D12P2C005
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM120D12P2C005
Price: 298.632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (317 reviews)

Número de pieza de MFG: BSM120D12P2C005

Cantidad disponible: 95030 Piezas

Precio de referencia: USD 298.632

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fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSM120D12P2C005.pdf

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BSM120D12P2C005 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSM120D12P2C005
Número de parte futuro	FT-BSM120D12P2C005
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BSM120D12P2C005 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 22mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14000pF @ 10V
Potencia - max	780W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	Module
Paquete del dispositivo del proveedor	Module
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM120D12P2C005 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSM120D12P2C005-FT

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