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Vishay Siliconix SIZ322DT-T1-GE3
- Número de pieza de MFG
- SIZ322DT-T1-GE3
- Cantidad disponible
- 84800 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.296288
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- TrenchFET® Gen IV MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SIZ322DT-T1-GE3.pdf
SIZ322DT-T1-GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SIZ322DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SIZ322DT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® Gen IV |
| SIZ322DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.35 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.1nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 12.5V |
| Potencia - max | 16.7W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-Power33 (3x3) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIZ322DT-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SIZ322DT-T1-GE3-FT |
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