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Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3

Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3
Price: 0.389664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (709 reviews)

Número de pieza de MFG: SIZ200DT-T1-GE3

Cantidad disponible: 11380 Piezas

Precio de referencia: USD 0.389664

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH DUAL 30V

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIZ200DT-T1-GE3.pdf

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SIZ200DT-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SIZ200DT-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SIZ200DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIZ200DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potencia - max	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ200DT-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIZ200DT-T1-GE3-FT

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