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Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3
- Número de pieza de MFG
- SIZ200DT-T1-GE3
- Cantidad disponible
- 11380 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.389664
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH DUAL 30V
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SIZ200DT-T1-GE3.pdf
SIZ200DT-T1-GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SIZ200DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SIZ200DT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® Gen IV |
| SIZ200DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
| Potencia - max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIZ200DT-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SIZ200DT-T1-GE3-FT |
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