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Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3

Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3
Price: 0.47232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (160 reviews)

Número de pieza de MFG: SQJ262EP-T1_GE3

Cantidad disponible: 16980 Piezas

Precio de referencia: USD 0.47232

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SQJ262EP-T1_GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SQJ262EP-T1_GE3
Número de parte futuro	FT-SQJ262EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ262EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Potencia - max	27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ262EP-T1_GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SQJ262EP-T1_GE3-FT

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