casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT15099RE6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BAT15099RE6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAT15099RE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT15099RE6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | 110mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.5pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT15099RE6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT15099RE6327HTSA1-FT |
MEST2G-150-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011037-13900T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1338E1-1068T
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MA4E2072M-1068T
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MA4E2200E1-1068T
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MA4P7441F-1091T
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BAR 88-07LRH E6327
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BAR 88-098LRH E6327
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BAR 88-099LRH E6327
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
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XCKU035-L1FBVA900I
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AGLN030V5-ZCSG81I
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EP1S20F484C7
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LFXP3C-3Q208C
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LFE2-12E-5FN256I
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10AX066N4F40I3SG
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10AX090N3F40E2SG
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