casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4E1338E1-1068T
Número de pieza del fabricante | MA4E1338E1-1068T |
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Número de parte futuro | FT-MA4E1338E1-1068T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4E1338E1-1068T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 8V |
Actual - max | 30mA |
Capacitancia a Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1338E1-1068T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4E1338E1-1068T-FT |
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel