casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MEST2G-150-10-CM32
Número de pieza del fabricante | MEST2G-150-10-CM32 |
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Número de parte futuro | FT-MEST2G-150-10-CM32 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MEST2G-150-10-CM32 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | - |
Actual - max | 500mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.5pF @ 50V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 220 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | CM32 |
Paquete del dispositivo del proveedor | CM32 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MEST2G-150-10-CM32 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MEST2G-150-10-CM32-FT |
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel