casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAP65-02,135
Número de pieza del fabricante | BAP65-02,135 |
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Número de parte futuro | FT-BAP65-02,135 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAP65-02,135 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.375pF @ 20V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 350 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 715mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-523 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP65-02,135 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAP65-02,135-FT |
RN242CST2R
Rohm Semiconductor
RN262CST2R
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LCMXO2280C-3TN100C
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M7A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC256-2X
Intel
10M25SCE144I7G
Intel
5SGXEB6R3F43I3N
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5SGXMA5H1F35I2N
Intel
XC7VX980T-L2FFG1926E
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel