casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR 88-099LRH E6327
Número de pieza del fabricante | BAR 88-099LRH E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAR 88-099LRH E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR 88-099LRH E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 4-XFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-4-7 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 88-099LRH E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR 88-099LRH E6327-FT |
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel