casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MADP-011037-13900T
Número de pieza del fabricante | MADP-011037-13900T |
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Número de parte futuro | FT-MADP-011037-13900T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MADP-011037-13900T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 400V |
Actual - max | 250mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.3pF @ 50V, 1GHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 5W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 16-LFQFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-HQFN (3x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MADP-011037-13900T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MADP-011037-13900T-FT |
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
EP4SGX530NF45C3N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M35E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel