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Infineon Technologies AUIRF7665S2TR

Número de pieza de MFG
AUIRF7665S2TR
Cantidad disponible
93440 Piezas
Precio de referencia
USD 0.38904
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-AUIRF7665S2TR
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRF7665S2TR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 515pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET SB
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric SB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7665S2TR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AUIRF7665S2TR-FT

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