casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXRFSM18N50
Número de pieza del fabricante | IXRFSM18N50 |
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Número de parte futuro | FT-IXRFSM18N50 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SMPD |
IXRFSM18N50 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 9.5A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2250pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 835W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SMPD |
Paquete / Caja | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXRFSM18N50 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXRFSM18N50-FT |
IXTF280N055T
IXYS
IXTF250N075T
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IXTF230N085T
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IXTF200N10T
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IXTC36P15P
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