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IXYS IXTA1R6N100D2HV

Name: IXTA1R6N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1R6N100D2HV
Price: 2.07008 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (602 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTA1R6N100D2HV

Cantidad disponible: 43540 Piezas

Precio de referencia: USD 2.07008

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fabricante: IXYS

Breve descripción: - MOSFET N-CH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTA1R6N100D2HV.pdf

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IXTA1R6N100D2HV Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTA1R6N100D2HV
Número de parte futuro	FT-IXTA1R6N100D2HV
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTA1R6N100D2HV Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	645pF @ 10V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (max)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263HV
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA1R6N100D2HV Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTA1R6N100D2HV-FT

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