casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXRFSM12N100
Número de pieza del fabricante | IXRFSM12N100 |
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Número de parte futuro | FT-IXRFSM12N100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SMPD |
IXRFSM12N100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2875pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 940W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SMPD |
Paquete / Caja | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXRFSM12N100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXRFSM12N100-FT |
IXTK102N65X2
IXYS
IXTF280N055T
IXYS
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