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IXYS IXTA3N100D2HV

Número de pieza de MFG
IXTA3N100D2HV
Cantidad disponible
45610 Piezas
Precio de referencia
USD 2.39408
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
- MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTA3N100D2HV Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1020pF @ 25V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (max) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263HV
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA3N100D2HV Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTA3N100D2HV-FT

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