casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTA3N100D2HV
Número de pieza del fabricante | IXTA3N100D2HV |
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Número de parte futuro | FT-IXTA3N100D2HV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTA3N100D2HV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1.5A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1020pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263HV |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA3N100D2HV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTA3N100D2HV-FT |
IXTP270N04T4
IXYS
IXTK102N65X2
IXYS
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IXYS
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel