casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT25160B-MAPDGV-E
Número de pieza del fabricante | AT25160B-MAPDGV-E |
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Número de parte futuro | FT-AT25160B-MAPDGV-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AT25160B-MAPDGV-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-UDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25160B-MAPDGV-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT25160B-MAPDGV-E-FT |
AS4C256M32MD2-18BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M32MD3-15BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel