casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT25160B-MAPDGV-E
Número de pieza del fabricante | AT25160B-MAPDGV-E |
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Número de parte futuro | FT-AT25160B-MAPDGV-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AT25160B-MAPDGV-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-UDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25160B-MAPDGV-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT25160B-MAPDGV-E-FT |
AS4C256M32MD2-18BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M32MD3-15BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel